電場控制漏一源極溝道的寬度控制漏源極電流的，因此呈跨越電極的跨導特性。
　　
　　以目前常用的UHCMOSFET而言，功耗100W以上的場效應管，漏極電流峰值可達20A—30A，而柵極驅動電壓一般均在25Vp-p左右。對于普通音響功放而言，前級電壓放大器只耍有150倍左右的電壓增益，即可將CD等信號源200mV的信號放大到25V以上。但是，MOSFET的柵極是絕緣的，與半導體材料間有較大的電容，從而構成場效應管的輸入電容。為了使場效應管放大器的頻率特性不下跌，要求前級電壓放大器的 后一級輸出阻抗越低越好。驅動信號的低阻抗輸出，可加快輸入電容的充電時間，以使在柵極上能盡快建立驅動電壓。MOSFET的功耗越大，此輸入電容也越大，因此對MOSFET而言，輸出功率的大小，對前級放大增益要求基本不變，只是采用大功率MOSFET輸出級時，要求前級輸出阻抗更低。如此說來，MOSFET功放組成實際只有三個部分，除MOSFET輸出級外，前級由必須增益的放大器組成純電壓放大器，然后由源極輸出器（源極跟隨器）變換成阻抗驅動MOS輸出級，源極跟隨骼的高輸人阻抗使前級電壓放大器幾乎無驅動電流。
　　
　　在電流控制雙極型晶體管的應用中，逐級電流放大，驅動功率也逐漸增大，使電路結構變得復雜。以音響放大器為例，當輸出級采用雙極型晶體管時，輸出級功率輸出是建立在低負載阻抗上之大電流，以致輸入阻抗降低，驅動電流增大。為了達到完全的驅動，必須在輸出級之前加八多級達林頓連接的驅動電路，逐級提高驅動電流，因而導致多級放大器不僅使電路復雜化，且相位移、失真也增大。如果輸出級采用MOSFET管，無論輸出管漏極電流有多大，輸入阻抗恒為高阻抗，只要有特定的驅動電壓即可使漏極電流產生足夠的變量，在此過程中輸入電路并無驅動電流。這就使得MOSFET輸出級的驅動放大器變得十分簡單。
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