at89s51單片機對片外ram的讀和寫兩種操作時序的基本過程是相同的。
　　
　　1、讀片外ram操作時序
　　
　　at89s51單片機若外擴一片ram，應將其wr（的反）引腳與ram芯片的we引腳連接，rd引腳與芯片oe（的反）引腳連接。ale信號的作用是鎖存低8位地址。
　　
　　at89s51單片機讀片外ram操作時序如下圖所示。
　　
　　在第一個機器周期的sl狀態，ale信號由低變高（見①處），讀ram周期開始。在s2狀態，cpu把低8位地址送到po口總線上，把高8位地址送上p2口（在執行“movx  a，@dptr”指令階段才送高8位；若執行“movx a，@r/”則不送高8位）。
　　
　　ale的下降沿（見②處）用來把低8位地址信息鎖存到外部鎖存器74ls373內。而高8位地址信息一直鎖存在p2口鎖存器中（見③處）。
　　
　　在s3狀態，po口總線變成高阻懸浮狀態④。在s4狀態，執行指令“movxa，@dptr”后使rd（的反）信號變為有效（見⑤處），rd（的反）信號使被尋址的片外ram過片刻后把數據送上po口總線（見⑥處），當rd回到高電平后（見⑦處），po總線變為懸浮狀態（見⑧處）。至此，讀片外ram周期結束。
　　
　　2．寫片外ram操作時序
　　
　　向片外ram寫（存）數據，是at89s51單片機執行“movx@dptr，a”指令后產生的動作。這條指令執行后，at89s51單片機的wr信號為低電平有效，此信號使ram的we端被選通。
　　
　　寫片外ram的操作時序如下圖所示。開始的過程與讀過程類似，但寫的過程是cpu主動把數據送上po口總線，故在時序上，cpu先向po口總線上送完8位地址后，在s3狀態就將數據送到po口總線（見③處）。此間，po總線上不會出現高阻懸浮現象。
　　
　　在s4狀態，寫控制信號wr有效（見⑤處），選通片外ram，稍過片刻，po口上的數據就寫到ram內了，然后寫控制信號wr變為無效（見⑥處）。
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