在 底層的金屬襯底上引出另外一個電極b，稱為背面柵極，它主要用于在ic中生成“隔離島”。
　　
　　mosfet是電壓控制型晶體管，柵極雖然與其他部分絕緣，但可以通過電場來影響載流子的運行，如下圖所示。
　　
　　若ugs=0v，則mosfet等效為一個共陽極二極管，b是公共陽極，s、d分別為兩個陰極。此時，不論s、d兩極間加哪種極性的電壓，都不會有導通電流產生，這時可以認為此mosfet是截止的。當將背面柵板b與源極s短接，同時給g、s之間加上正電壓時，ugs電壓就加到襯底與柵極之間，就會產生一個與p+襯底表面垂直的電場。
　　
　　當ugs超過某一臨界值之后，垂直電場強度達到一定值，較多的電子就會被吸引到p型硅的表面，在兩個n+島間形成導電的n溝道。這樣s、d、n溝道形成一體，它們僅僅與下面的p+型硅形成pn結。當漏極、源極之間施加正向電壓時，此pn結反向截止。漏區、源區、n溝道區下面存在一層耗盡區，把它們與背柵襯底隔離開。此時，若在漏極、源極之間加上正向電壓，就會有不經過襯底的電流由源區經n溝道到達漏區，形成漏極電流id。習慣上將剛剛開始出現n溝道時的ugs稱為開啟電壓，用ut表示。

　　n溝道增強型mosfet的轉移特性曲線如下圖所示，當o<ugs<u1時，id=0，盡管此時ugs>0，但無柵極電流；當ugs>u,時，導電溝道建立，id>0，外加的正柵極電壓越大，溝道越寬，溝道電阻越小，id越大，mos管處于導通狀態。

　　
　　n溝道mosfet的輸出特性曲線如下圖所示，曲線中同時存在有可變電阻區、恒流區、截止區。在恒流區內，id受控于ugs。
　　
　　上面介紹的是增強型n溝道mosfet的簡單工作原理，對于p溝道的增強型mosfet來說，其偏置電壓極性相反，控制原理與n溝道相同。

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