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IGBT管的技術(shù)特性術(shù)語(yǔ)
來(lái)源: 日期:2013-12-5 10:32:53 人氣:標(biāo)簽:
(4) 高柵極一發(fā)射極電壓(uge)。柵極電壓受柵極氧化層的厚度和特性限制。雖然柵極的絕緣擊穿電壓約為80v,但是為了保證可靠工作且限制故障狀態(tài)下的電流,柵極電壓通常應(yīng)限制在20v以內(nèi)。
(5)鉗位電感負(fù)載電流(ilm)。在電感負(fù)載電路中,這個(gè)額定值可以確保電流為規(guī)定值時(shí)igbt管能夠重復(fù)開(kāi)斷。這個(gè)額定值也能夠保證igbt管同時(shí)承受高電壓和大電流。
(6)25℃和100℃時(shí)的 大功率(pd)。其計(jì)算公式為:
(7)結(jié)溫(tj)。器件能夠在-55℃~100℃的工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)溫度范圍內(nèi)正常工作。
(8) 大集電極電流icmax。包括額定直流電流ic和ims脈寬 大電流icp。
(9) 大集電極功耗pcm。igbt管的 大集電極功耗pcm為正常工作溫度下允許的 大功耗。
(10) 大工作頻率。開(kāi)關(guān)頻率是選擇適合的igbt管時(shí)需考慮的一個(gè)重要參數(shù), 大工作頻率與導(dǎo)通損耗有直接的關(guān)系,特別是在集電極電流ic與uce(sat)相關(guān)時(shí),把導(dǎo)通損耗定義為功率損耗是可行的。這三者之間的表達(dá)式為:
開(kāi)關(guān)損耗與igbt管的換向有關(guān),但是主要與工作時(shí)的總能量消耗ets相關(guān),并與終端設(shè)備頻率的關(guān)系更加緊密。總損耗是兩部分損耗之和:
在這一點(diǎn)上,總損耗顯然與ets和uce(sat)兩個(gè)主要參數(shù)有內(nèi)在的聯(lián)系。這些變量之間適度的平衡關(guān)系與igbt管技術(shù)密切相關(guān),并為用戶 大限度地降低終端設(shè)備的綜合散熱提供了選擇的機(jī)會(huì)。因此,為 大限度地降低功耗,根據(jù)終端設(shè)備的頻率以及應(yīng)用中的電平特性,應(yīng)選擇不同的器件。
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