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場效應晶體管及其驅(qū)動電路
來源: 日期:2013-12-18 13:59:33 人氣:標簽:
(1)場效應晶體管
場效應管(mosfet)與雙極型晶體管相比,具有如下優(yōu)點:①電壓驅(qū)動,且驅(qū)動功率小;②是多數(shù)載流子工作器件,開關(guān)速度快,無“二次”擊穿,熱穩(wěn)定性好。因此,場效應管是一種適應開關(guān)電源小型化、高效率化和高可靠性要求的理想器件。
下圖中,源極跨在兩個半導體區(qū)上,n型管箭頭向左,表示載流子電子從源極出發(fā);p型管箭頭向右表示載流子空穴從源極出發(fā)。無論哪一型管子都是利用多數(shù)載流子導電(雙極型晶體管是包含少數(shù)載流子導電的),不存在載流子導電和多余載流子復合表現(xiàn)出來的存儲時間,因此,動作快,頻率高,不存在二次擊穿。
在有限管子直接并聯(lián)時,由于具有正溫度系數(shù),可以自動均衡電流(雙極型晶體管則是具有負溫度系數(shù),所以并聯(lián)要采取均流措施),不會產(chǎn)生過熱點。這些都是mosfet(場效應管)管的優(yōu)點。
使用mosfet功率管比使用雙極型晶體管可得到更多的好處。特別當器件用在高頻時(一般在100khz或更高),mosfet(場效應管)的突出優(yōu)點更會顯現(xiàn)出來。
(2)電路的基本形式
①直接驅(qū)動式。
直接驅(qū)動又包括如下具體形式:
a.用ttl驅(qū)動mosfet。可按上圖所示,用ttl驅(qū)動mosfet。
另一種驅(qū)動mosfet的方法是使用專用的集成化緩沖器。下圖中的ds0026,便是其中一例。
b.用cmos電路驅(qū)動mosfet。由于mosfet有很高的輸入阻抗,所以可考慮用cmos電路直接驅(qū)動其柵極,如下圖所示。
c.用線性互補電路驅(qū)動mosfet。用線性運算放大器來直接驅(qū)動mosfet,受限制的因素主要是運算放大器的回掃時間較長,因此,采用這種驅(qū)動方式的工作頻率限于25 khz以下。為了改善頻帶寬度和回掃速度稍慢的問題,可插入一個射極跟隨器,如下圖所示。
②耦合驅(qū)動式和混合式。
驅(qū)動共漏極mos -fet的另一類電路是,利用變壓器耦合,如下圖所示。
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